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低雑音増幅器

図は2.3GhzのLNAの解析例です。FETはSパラメータモデルを用いています。デバイスデータがNFデータを持っている場合は、雑音指数も同時に解析することが可能になります。この回路の設計はS-NAP/Designによるものです。ソースにリアクタンス（MSライン）を装荷することで、NF整合と電力整合の両方をバランスさせています。図bはFETまわりのパターンを変更したものです。ソースリアクタンスを小さくすると、雑音指数にはさほど大きな変化はありませんが、リターンロスがかなり悪化してくることがわかります。

図はフィードバック回路を持つ広帯域増幅器の解析例です。1GHz～3Ghzぐらいまではほぼ一定の利得を示しています。

増幅器の非線形性の解析

図は小信号増幅器のSパラメータ特性と大信号入力時の歪特性を解析したものです。デバイスモデルはSPICEのサブサーキットで記述されたモデルで、寄生成分を含んだものになっています。真性領域はガンメルプーンですので非線形性の解析を行うことができます。またこのモデルを用いた場合は雑音指数も同時に計算することが可能になります。この解析はS-NAP/Field＋ハーモニックバランスオプションで可能になります。